Решение контрольной работы по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры
Решение контрольной работы по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры
1
17
Контрольная работа № 2по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.Аннотация. Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.Исходные данные:Тип транзистора ……………………………………………ГТ310Б Величина напряжения питания Еп ………………………….. 5ВСопротивление коллекторной нагрузки Rк ………………1,6кОм
Сопротивление нагрузки Rн……………………………… 1,8кОм
Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.
Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г..
Электрические параметры.
Коэффициент шума при ѓ= 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более 3 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ= 50 - 1000 Гц 60 - 180
Модуль коэффициента передачи тока H21эпри Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ= 20 МГц не менее 8
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ= 5 МГц не более 300 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ= 50 - 1000 Гц не более 3 мкСм
Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ѓ= 5 МГц не более 4 пФ
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор- эмиттер: при Rбэ= 10 кОм 10В при Rбэ= 200 кОм 6 В
Постоянное напряжение коллектор- база 12 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 - 308 К20 мВт
Тепловое сопротивление переход- среда 2 К/мВт
Температура перехода 348 К
Температура окружающей среды От 233 до 328 К
Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 - 328К определяется по формуле:
PК.макс= ( 348 - Т )/ 2
Входные характеристики.
Для температуры Т = 293 К :
Iб, мкА
200
160
120
80
40
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,35
Uбэ,В
Выходные характеристики.
Для температуры Т = 293 К :
Iк ,
мА
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
Uкэ,В
Нагрузочная прямая по постоянному току.
Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:
Построим нагрузочную прямую по двум точкам:
при Iк= 0,Uкэ= Еп = 9 В,и при Uкэ= 0,Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА
Динамические коэффициенты усиления по току КIи напряжению
КUопределяются соотношениями:
Выводы:
Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
Библиографический список.
“Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.
Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.
Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г.
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г.
Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г.